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达标情况
逻辑类型
电路数
输入数
特性
电流静态(最大值)
电流输出高,低
逻辑电平低
逻辑电平高
工作温度
方向
每元件位数
复位
定时
计数速率
触发器类型
电源电压
74AHC
74AHC2G32GD,125
2 V ~ 5.5 V
表面贴装
8-XFDFN
8-XSON,SOT996-2(2x3)
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
或门
2
2
-
1µA
8mA,8mA
0.5 V ~ 1.65 V
1.5 V ~ 3.85 V
-40°C ~ 125°C
DDR SDRAM
512MB
400MT/s
200-SODIMM
-
MT16VDDF6464HG-40BG2
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
电压至频率
100kHz
±50ppm/°C
±0.01%
RV4151NB
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-PDIP
管件
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
AD637JR-REEL
2.2mA
±3 V ~ 18 V
表面贴装
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
16-SOIC
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DDR SDRAM
64MB
266MT/s
200-SODIMM
-
MT4VDDT864HG-26AB2
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
74F
N74F38D,623
4.5 V ~ 5.5 V
表面贴装
14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
14-SO
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
与非门
4
2
开路集电极
-
-,64mA
0.8V
2V
0°C ~ 70°C
DDR SDRAM
256MB
400MT/s
200-SODIMM
-
MT9VDDT3272HY-40BG2
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
电压至频率
6.144Mhz
±50ppm/°C
±0.024%
AD7741BR-REEL7
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
AD8436BCPZ-WP
325µA
±2.4 V ~ 18 V,4.8 V ~ 36 V
表面贴装
20-WFQFN 裸露焊盘,CSP
20-LFCSP-WQ(4x4)
托盘 - 晶粒
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DDR2 SDRAM
256MB
667MT/s
240-UDIMM
-
MT4HTF3264AY-667B1
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DDR SDRAM
256MB
400MT/s
200-SODIMM
-
MT5VDDT3272HG-40BF2
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
电压到频率和频率到电压
100kHz
±40ppm/°C
±0.05%
TC9400EJD
通孔
14-CDIP(0.300",7.62mm)
14-CDIP
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DDR2 SDRAM
512MB
400MT/s
240-RDIMM
-
MT18HTF6472DY-40EB2
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
74HC
74HC1G14GW,165
2 V ~ 6 V
表面贴装
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
5-TSSOP
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
反相器
1
1
施密特触发器
20µA
2.6mA,2.6mA
0.3 V ~ 1.2 V
1.5 V ~ 4.2 V
-40°C ~ 125°C
-
电压到频率和频率到电压
1MHz
±150ppm/°C
±0.1%
AD650BD
通孔
14-CDIP(0.300",7.62mm)
14-CDIP
管件
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
74LVC
74LVC1G32GW,165
1.65 V ~ 5.5 V
表面贴装
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
5-TSSOP
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
或门
1
2
-
4µA
32mA,32mA
0.7 V ~ 0.8 V
1.7 V ~ 2 V
-40°C ~ 125°C
DDR2 SDRAM
128MB
667MT/s
240-UDIMM
-
MT4HTF1664AY-667B1
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
74HC
74HC163D-Q100J
表面贴装
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
16-SO
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
二进制计数器
-40°C ~ 125°C
4
同步
同步
55MHz
正边沿
2 V ~ 6 V
DDR2 SDRAM
4GB
400MT/s
240-RDIMM
-
MT36HTJ51272Y-40EA2
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
74HCT
74HCT1G08GW,165
4.5 V ~ 5.5 V
表面贴装
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
5-TSSOP
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
与门
1
2
-
20µA
2mA,2mA
0.8V
2V
-40°C ~ 125°C
对比栏

1

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2

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3

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