|
IS62C256AL-45TLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
256Kb (32K x 8) |
45ns |
45ns |
并联 |
4.5 V ~ 5.5 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) |
28-TSOP I |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
IS42S16100H-7TLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
16Mb (1M x 16) |
- |
5.5ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
50-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
50-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
IS62LV256AL-45ULI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
256Kb (32K x 8) |
45ns |
45ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
28-SOIC(0.330",8.38mm 宽) |
28-SOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
IS39LV010-70VCE |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
1Mb (128K x 8) |
70ns |
70ns |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
32-TFSOP(0.488",12.40mm 宽) |
32-VSOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
IS25LP016D-JNLE |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
16Mb (2M x 8) |
800µs |
- |
SPI - 四 I/O |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 105°C(TA) |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
8-SOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
IS42S16100H-7TL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
16Mb (1M x 16) |
- |
5.5ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C(TA) |
表面贴装 |
50-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
50-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
IS25LP016D-JBLE |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
16Mb (2M x 8) |
800µs |
- |
SPI - 四 I/O |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 105°C(TA) |
表面贴装 |
8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) |
8-SOIC |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
IS25LP080D-JKLE |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
8Mb (1M x 8) |
800µs |
- |
SPI - 四 I/O |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 105°C(TA) |
表面贴装 |
8-WFDFN 裸露焊盘 |
8-WSON(5x6) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
IS25LP080D-JNLE |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
8Mb (1M x 8) |
800µs |
- |
SPI - 四 I/O |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 105°C(TA) |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
8-SOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
IS25LQ040B-JKLE |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
4Mb (512K x 8) |
800µs |
- |
SPI |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 105°C(TA) |
表面贴装 |
8-WDFN 裸露焊盘 |
8-WSON(6x5) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
IS25LQ025B-JKLE |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
256Kb (32K x 8) |
800µs |
- |
SPI |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 105°C(TA) |
表面贴装 |
8-WDFN 裸露焊盘 |
8-WSON(6x5) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
IS61LV25616AL-10TL-TR |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb (256K x 16) |
10ns |
10ns |
并联 |
3.135 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C(TA) |
表面贴装 |
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
IS61LV25616AL-10TL-TR |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb (256K x 16) |
10ns |
10ns |
并联 |
3.135 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C(TA) |
表面贴装 |
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
IS62WV25616BLL-55TLI-TR |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb (256K x 16) |
55ns |
55ns |
并联 |
2.5 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
IS43TR16512AL-125KBLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR3L |
8Gb (512M x 16) |
15ns |
20ns |
并联 |
1.283 V ~ 1.45 V |
-40°C ~ 95°C(TA) |
表面贴装 |
96-LFBGA |
96-LFBGA(10x14) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
IS43TR16512A-125KBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR3 |
8Gb (512M x 16) |
15ns |
20ns |
并联 |
1.425 V ~ 1.575 V |
0°C ~ 95°C(TA) |
表面贴装 |
96-LFBGA |
96-LFBGA(10x14) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
IS61WV204816BLL-10TLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
32Mb (2M x 16) |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
48-TSOP I |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
IS61WV20488BLL-10MLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
16Mb (2M x 8) |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-迷你型BGA(9x11) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
IS61WV20488BLL-10TLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
16Mb (2M x 8) |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
IS61WV102416BLL-10TLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
16Mb (1M x 16) |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
48-TSOP I |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |