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IXYS Corporation
LAPIS Semiconductor
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Mill-Max
Nexperia
NXP Semiconductors / 恩智浦
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Optek Technology / TT Electronics
Panasonic/松下
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Roving Networks / Microchip
STMicroelectronics/意法半导体
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Texas Instruments/德州仪器
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Bourns Inc./伯恩斯
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DiodesZetex/达尔
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DAWIN Electronics
SGX Sensortech
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8.46
Bourns 5.0SMDJ20A UJT 晶体管, 5000 (Minimum) W, 2引脚 DO-214AB (SMC)封装
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13512.32
Bourns 5.0SMDJ20A UJT 晶体管, 5000 (Minimum) W, 2引脚 DO-214AB (SMC)封装
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2.94
CONN IC DIP SOCKET 6POS GOLD
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2.94
CONN IC DIP SOCKET 10POS GOLD
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¥
2.98
CONN IC DIP SOCKET 4POS GOLD
已售
0
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2.22
CONN IC DIP SOCKET 4POS GOLD
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2.90
CONN IC DIP SOCKET 6POS GOLD
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1001.14
Infineon BCR119SH6327 双 NPN 数字晶体管, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:无, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
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4.10
ON Semiconductor BD676G PNP 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=45 V, HFE=750, 3引脚 TO-225封装
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2.60
DiodesZetex FZT600BTA NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=140 V, HFE=10000, 3 Tab引脚 SOT-223封装
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1926.84
Infineon FS200R07A1E3 IGBT 模块, 3 相桥接, 250 A, Vce=650 V, 25引脚 HYBRID1封装
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0.25
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS NPN 200MW UMT3
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2.95
新产品ON Semiconductor BDW42G NPN 达林顿晶体管对, 15 A, Vce=100 V, HFE=250, 3引脚 TO-220AB封装
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322.59
IXYS MID75-12A3 IGBT 模块, 90 A, Vce=1200 V, 7引脚 Y4 M5封装
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1.49
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS NPN 200MW UMT3
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0.32
ON Semiconductor MMBTA64 PNP 达林顿晶体管对, -1.2 A, Vce=30 V, HFE=20000, 3引脚 SOT-23封装
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692.46
Infineon FS50R12KE3 IGBT 模块, 3 相桥接, 75 A, Vce=1200 V AG-ECONO2-6封装
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0.46
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS NPN 150MW EMT3
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724.05
Infineon BSM150GB60DLC IGBT 模块, 串行, 180 A, Vce=600 V, 7引脚 34MM 模块封装
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4.11
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS NPN 200MW SMT3
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36.63
Fairchild Semiconductor HGTG30N60A4 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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1.49
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS PNP 200MW SMT3
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23.80
Fairchild Semiconductor FGH40T65SHDF_F155 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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0.41
NPN 500MA/50V DIGITAL TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置ISTOR
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19.84
Mill-Max 用于IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 32POS GOLD
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5.19
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS NPN 1.5W MPT3
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产品图片
产品详情
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
系列
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
安装类型
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
工作温度
原产地
配置
最大功率
晶体管数
产品认证
每片芯片元件数目
典型输入电阻器
封装类型
引脚数目
最小直流电流增益
晶体管配置
典型电阻比
高度
最高工作温度
长度
宽度
尺寸
最大功率耗散
最大连续集电极电流
最大发射极基极电压
最低工作温度
预计寿命
RoHS达标情况
最大集电极发射极电压
最大栅极发射极电压
通道类型
开关速度
¥
2.90
另提供行业标准包装
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型号
110-83-306-41-005101
¥
2.90
CONN IC DIP SOCKET 6POS GOLD
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110-83-306-41-005101
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
110
DIP,0.3"(7.62mm)行间距
6(2 x 3)
0.100"(2.54mm)
金
29.5µin(0.75µm)
铜铍
通孔
开放框架
焊接
0.100"(2.54mm)
锡
-
黄铜
聚对苯二甲酸二甲基环己酯(PCT),聚酯,玻璃纤维增强型
-
¥
1001.14
另提供行业标准包装
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型号
BCR119SH6327
¥
1001.14
Infineon BCR119SH6327 双 NPN 数字晶体管, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:无, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
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BCR119SH6327
NPN
表面贴装
-
2
4.7 kΩ
SOT-363 (SC-88)
6
120
隔离式
无
0.8mm
150 °C
2mm
1.25mm
2 x 1.25 x 0.8mm
250 mW
¥
4.10
另提供行业标准包装
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型号
BD676G
¥
4.10
ON Semiconductor BD676G PNP 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=45 V, HFE=750, 3引脚 TO-225封装
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暂时缺货
BD676G
通孔
-
TO-225
3
单
11.04 mm
150 °C
7.74 mm
2.66 mm
7.74 x 2.66 x 11.04 mm
4 A
1
-55 °C
-
-
¥
2.60
另提供行业标准包装
立即购买
型号
FZT600BTA
¥
2.60
DiodesZetex FZT600BTA NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=140 V, HFE=10000, 3 Tab引脚 SOT-223封装
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暂时缺货
FZT600BTA
表面贴装
-
SOT-223
3 Tab
单
1.65 mm
150 °C
6.55 mm
3.55 mm
6.55 x 3.55 x 1.65 mm
2 W
2 A
1
-55 °C
-
-
¥
1926.84
另提供行业标准包装
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型号
FS200R07A1E3
¥
1926.84
Infineon FS200R07A1E3 IGBT 模块, 3 相桥接, 250 A, Vce=650 V, 25引脚 HYBRID1封装
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暂时缺货
FS200R07A1E3
-
-
PCB(印刷电路板)安装
-
3 相桥接
790 W
-
HYBRID1
25
3 相
17mm
150 °C
140 mm
72 mm
140 x 72 x 17 mm
250 A
-40 °C
-
650 V
±20V
N
1MHz
¥
0.25
另提供行业标准包装
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型号
DTC144EUAT106
¥
0.25
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS NPN 200MW UMT3
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DTC144EUAT106
NPN - 预偏压
50V
68 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
200mW
UMT3
SC-70,SOT-323
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
2.95
另提供行业标准包装
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型号
BDW42G
¥
2.95
新产品ON Semiconductor BDW42G NPN 达林顿晶体管对, 15 A, Vce=100 V, HFE=250, 3引脚 TO-220AB封装
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暂时缺货
BDW42G
通孔
-
TO-220AB
3
单
9.28 mm
150 °C
10.28 mm
4.82 mm
10.28 x 4.82 x 9.28 mm
15 A
1
-55 °C
-
-
¥
322.59
另提供行业标准包装
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型号
MID75-12A3
¥
322.59
IXYS MID75-12A3 IGBT 模块, 90 A, Vce=1200 V, 7引脚 Y4 M5封装
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自营
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暂时缺货
MID75-12A3
-
-
面板安装
-
单
-
Y4 M5
7
单
30mm
150 °C
94 mm
34 mm
94 x 34 x 30 mm
90 A
-40°C
-
1200 V
±20V
N
¥
1.49
另提供行业标准包装
立即购买
型号
DTC143XUAT106
¥
1.49
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS NPN 200MW UMT3
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DTC143XUAT106
NPN - 预偏压
50V
30 @ 10mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
200mW
UMT3
SC-70,SOT-323
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
0.32
另提供行业标准包装
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型号
MMBTA64
¥
0.32
ON Semiconductor MMBTA64 PNP 达林顿晶体管对, -1.2 A, Vce=30 V, HFE=20000, 3引脚 SOT-23封装
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暂时缺货
MMBTA64
表面贴装
-
SOT-23
3
单
0.93 mm
150 °C
2.92 mm
1.3 mm
2.92 x 1.3 x 0.93 mm
350 mW
-1.2 A
1
-55 °C
-
-
¥
692.46
另提供行业标准包装
立即购买
型号
FS50R12KE3
¥
692.46
Infineon FS50R12KE3 IGBT 模块, 3 相桥接, 75 A, Vce=1200 V AG-ECONO2-6封装
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暂时缺货
FS50R12KE3
-
-
面板安装
-
3 相
270 W
-
AG-ECONO2-6
3 相
17mm
125 °C
93 mm
45 mm
93 x 45 x 17 mm
75 A
-40 °C
-
1200 V
±20V
N
¥
0.46
另提供行业标准包装
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型号
DTC114YETL
¥
0.46
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS NPN 150MW EMT3
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DTC114YETL
NPN - 预偏压
50V
68 @ 5mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
500nA
250MHz
150mW
EMT3
SC-75,SOT-416
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
724.05
另提供行业标准包装
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型号
BSM150GB60DLC
¥
724.05
Infineon BSM150GB60DLC IGBT 模块, 串行, 180 A, Vce=600 V, 7引脚 34MM 模块封装
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暂时缺货
BSM150GB60DLC
-
-
面板安装
-
串行
595 W
-
34MM 模块
7
串行
30.5mm
125 °C
94 mm
34 mm
94 x 34 x 30.5 mm
180 A
-40 °C
-
600 V
±20V
N
1MHz
¥
4.11
另提供行业标准包装
立即购买
型号
DTD143EKT146
¥
4.11
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS NPN 200MW SMT3
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DTD143EKT146
NPN - 预偏压
50V
47 @ 50mA,5V
300mV @ 2.5mA,50mA
500nA
200MHz
200mW
SMT3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
36.63
另提供行业标准包装
立即购买
型号
HGTG30N60A4
¥
36.63
Fairchild Semiconductor HGTG30N60A4 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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HGTG30N60A4
通孔
-
-
TO-247
3
单
20.82mm
15.87mm
4.82mm
-
75 A
±20V
N
-
¥
1.49
另提供行业标准包装
立即购买
型号
DTA124EKAT146
¥
1.49
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS PNP 200MW SMT3
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DTA124EKAT146
PNP - 预偏压
50V
56 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
200mW
SMT3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
23.80
另提供行业标准包装
立即购买
型号
FGH40T65SHDF_F155
¥
23.80
Fairchild Semiconductor FGH40T65SHDF_F155 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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暂时缺货
FGH40T65SHDF_F155
通孔
-
-
TO-247
3
单
20.82mm
15.87mm
4.82mm
268 W
80 A
±20V
N
-
¥
0.41
另提供行业标准包装
立即购买
型号
DTD113ECT116
¥
0.41
NPN 500MA/50V DIGITAL TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置ISTOR
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自营
对比
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DTD113ECT116
NPN - 预偏压
50V
33 @ 50mA,5V
300mV @ 2.5mA,50mA
500nA
200MHz
200mW
SST3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
19.84
另提供行业标准包装
立即购买
型号
110-93-432-41-001000
¥
19.84
Mill-Max 用于IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 32POS GOLD
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自营
对比
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110-93-432-41-001000
管件
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
110
DIP,0.4"(10.16mm)行间距
32(2 x 16)
0.100"(2.54mm)
金
30µin(0.76µm)
铜铍
通孔
开放框架
焊接
0.100"(2.54mm)
锡 - 铅
200µin(5.08µm)
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯(PCT),聚酯
-55°C ~ 125°C
-
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DTDG23YPT100
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TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS NPN 1.5W MPT3
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DTDG23YPT100
NPN - 预偏压
60V
300 @ 500mA,2V
400mV @ 5mA,500mA
500nA
80MHz
1.5W
MPT3
TO-243AA
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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