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晶体管类型
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
原厂标准交货期
类型
铜端口
铜类型
光纤端口
光纤类型
SFP/XFP 端口
特性
距离
MTU
连接器类型
侵入防护
产品型号
系列
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
最大功率
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
产品系列
IGBT 类型
配置
最大集射极击穿电压
最大集电极电流
不同 Vge，Ic 时的 Vce
最大集电极截止电流
不同 Vce 时的输入电容
输入
工作温度
封装类型
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
可编程
最大栅极至阴极正向电压
最大栅极至阴极反向电压
最大栅极至阳极反向电压
最大阳极阴极电压
重复峰值阳极正向电流
尺寸
产品认证
每片芯片元件数目
典型输入电阻器
最小直流电流增益
典型电阻比
最高工作温度
最低工作温度
最大发射极基极电压
预计寿命
RoHS达标情况
最大集电极发射极电压
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363
京电港自营
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DMN5L06DW-7
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
50V
280mA
3 欧姆 @ 200mA，2.7V
1.2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
200mW
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.61
ROHM Semiconductor 晶体管 双极 阵列 预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
-
10 周
UMH1NTN
-
UMT6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3586.04
IMCV SNMP MANAGEABLE CONVRTR
京电港自营
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4 周
-
1
10/100
1
100BASE-FX（单模）
-
LFPT
60km
-
RJ45，SC
-
850-14249
iMcV
机架安装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
模块化 - 卡
0°C ~ 50°C
¥308.80
Vishay 晶体管 IGBT 模块 SIP MODULE 600V 6A IMS-2
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9 周
CPV363M4K
36W
通孔
IMS-2
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
-
三相反相器
600V
11A
2V @ 15V，11A
250µA
0.74nF @ 30V
标准
-40°C ~ 150°C（TJ）
19-SIP（13 引线），IMS-2
¥46.98
Infineon IGW75N60T IGBT, 150 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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IGW75N60T
通孔
-
TO-247
150 A
±20V
-
428 W
-
3
-
单
16.13mm
21.1mm
5.21mm
¥20.79
Infineon IRG4PC30KDPBF N沟道 IGBT, 28 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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IRG4PC30KDPBF
通孔
-
TO-247AC
28 A
±20V
-
-
N
3
-
单
15.9mm
5.3mm
20.3mm
¥52.38
IXYS IXXH80N65B4H1 N沟道 IGBT, 430 A, Vce=650 V, 5 - 30kHz, 3引脚 TO-247 AD封装
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IXXH80N65B4H1
通孔
-
TO-247 AD
430 A
±20V
1
625 W
N
3
5 → 30kHz
单
16.13mm
5.21mm
21.34mm
¥0.23
Nexperia PUMB11 双 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 UMT封装
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PNP
PUMB11
表面贴装
-
UMT
100 mA
6
隔离式
2.2mm
1.35mm
1mm
2.2 x 1.35 x 1mm
2
10 kΩ
30
1
150 °C
-65 °C
¥7.43
Infineon IKB10N60T N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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IKB10N60T
表面贴装
-
D2PAK (TO-263)
20 A
±20V
-
110 W
N
3
1MHz
单
10.31mm
9.45mm
4.57mm
¥0.30
Infineon BCR 183S 双 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
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PNP
BCR 183S
表面贴装
-
SOT-363 (SC-88)
100 mA
250 mW
6
隔离式
2mm
1.25mm
0.8mm
2 x 1.25 x 0.8mm
2
10 kΩ
30
1
150 °C
¥13512.32
Bourns 5.0SMDJ20A UJT 晶体管, 5000 (Minimum) W, 2引脚 DO-214AB (SMC)封装
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5.0SMDJ20A
表面贴装
-
DO-214AB (SMC)
5000 (Minimum) W
2
6.22mm
2.31mm
-
-
-
-
-
-
7.11 x 6.22 x 2.31mm
¥0.17
新产品ON Semiconductor MUN5312DW1T1G 双 NPN PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 6引脚
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NPN PNP
MUN5312DW1T1G
表面贴装
-
SOT-363 (SC-88)
100 mA
6
隔离式
2mm
1.25mm
0.9mm
2 x 1.25 x 0.9mm
2
22 kΩ
60
1
150 °C
-55 °C
¥1.96
STMicroelectronics TIP125 PNP 达林顿晶体管对, 5 A, Vce=60 V, HFE=1000, 3引脚 TO-220封装
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TIP125
通孔
-
TO-220
5 A
3
单
10.4 mm
4.6 mm
9.15 mm
10.4 x 4.6 x 9.15 mm
150 °C
-65 °C
1
-
-
¥1.27
Infineon BSP 50 NPN 达林顿晶体管对, 1 A, Vce=45 V, HFE=1000, 3 Tab引脚 SOT-223封装
京电港自营
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BSP 50
表面贴装
-
SOT-223
1 A
1.5 W
3 Tab
单
6.5 mm
3.5 mm
1.6 mm
6.5 x 3.5 x 1.6 mm
150 °C
1
-
-
¥1476.00
Fuji Electric 7MBR75SB-060-50 IGBT 模块, 3 相, 75 A, Vce=600 V, 24引脚 M712封装
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-
7MBR75SB-060-50
300 W
螺丝安装
-
-
3 相
M712
75 A
±20V
N
24
122 mm
62 mm
17mm
122 x 62 x 17 mm
-
150 °C
-
600 V
¥1.66
ON Semiconductor PZTA14 NPN 达林顿晶体管对, 1.2 A, Vce=30 V, HFE=10000, 3 Tab引脚 SOT-223封装
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PZTA14
表面贴装
-
SOT-223
1.2 A
1 W
3 Tab
单
6.5 mm
3.56 mm
1.6 mm
6.5 x 3.56 x 1.6 mm
150 °C
-55 °C
1
-
-
¥770.73
Infineon FF200R12KE3 IGBT 模块, 串行, 295 A, Vce=1200 V, 7引脚 62MM 模块封装
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-
FF200R12KE3
1.05 kW
面板安装
-
-
串行
62MM 模块
295 A
±20V
N
7
1MHz
串行
106.4 mm
61.4 mm
29mm
106.4 x 61.4 x 29 mm
-
125 °C
-40 °C
-
1200 V
¥2.67
新产品Texas Instruments DS2003TM/NOPB NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=55 V, 16引脚 SOIC封装
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DS2003TM/NOPB
表面贴装
-
SOIC
0.5 A
16
共发射极
9.91 mm
3.91 mm
1.45 mm
9.91 x 3.91 x 1.45 mm
125 °C
-40 °C
7
-
-
¥974.13
Infineon FS150R07PE4 IGBT 模块, 3 相桥接, 150 A, Vce=650 V, 20引脚 ECONO4封装
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收藏 暂时缺货
-
FS150R07PE4
430 W
PCB（印刷电路板）安装
-
-
3 相
ECONO4
150 A
±20V
N
20
1MHz
3 相
130 mm
70.6 mm
17mm
130 x 70.6 x 17 mm
-
150 °C
-40 °C
-
650 V
¥324.00
DAWIN Electronics DL2G100SH6N IGBT 模块, Isolated, 125 A, Vce=600 V, 6引脚 6DM-2封装
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-
DL2G100SH6N
445 W
通孔
-
-
隔离式
6DM-2
125 A
±20V
N
6
66 mm
34 mm
8mm
66 x 34 x 8 mm
-
150 °C
-40 °C
-
600 V

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