|
C4D05120E |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
5A(DC) |
1.8V @ 5A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
150µA @ 1200V |
390pF @ 0V,1MHz |
表面贴装 |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
TO-252-2 |
|
C3D10065I |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
10A(DC) |
- |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
50µA @ 650V |
480pF @ 0V,1MHz |
通孔 |
TO-220-2 隔离片 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-220-2 隔离片 |
|
C3D10065A |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
10A(DC) |
1.8V @ 10A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
60µA @ 650V |
480pF @ 0V,1MHz |
通孔 |
TO-220-2 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-220-2 |
|
C3D10065E |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
32A(DC) |
1.8V @ 10A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
50µA @ 650V |
460.5pF @ 0V,1MHz |
表面贴装 |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-252-2 |
|
C3D10060A |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
10A(DC) |
1.8V @ 10A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
50µA @ 600V |
480pF @ 0V,1MHz |
通孔 |
TO-220-2 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-220-2 |
|
C3D10060G |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
10A(DC) |
1.8V @ 10A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
50µA @ 600V |
480pF @ 0V,1MHz |
表面贴装 |
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-263-2 |
|
C3D08065I |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
8A(DC) |
1.8V @ 8A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
60µA @ 650V |
441pF @ 0V,1MHz |
通孔 |
TO-220-2 隔离片 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-220-2 隔离片 |
|
C3D08065A |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
8A(DC) |
1.8V @ 8A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
60µA @ 650V |
441pF @ 0V,1MHz |
通孔 |
TO-220-2 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-220-2 |
|
C3D08060G |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
8A(DC) |
1.8V @ 8A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
50µA @ 600V |
441pF @ 0V,1MHz |
表面贴装 |
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-263-2 |
|
C3D08060A |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
8A(DC) |
1.8V @ 8A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
50µA @ 600V |
441pF @ 0V,1MHz |
通孔 |
TO-220-2 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-220-2 |
|
C3D06065I |
- |
碳化硅肖特基 |
13A(DC) |
1.7V @ 6A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
50µA @ 650V |
295pF @ 0V,1MHz |
通孔 |
TO-220-2 隔离片 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-220-2 隔离片 |
|
C3D06065E |
- |
碳化硅肖特基 |
2A(DC) |
1.7V @ 6A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
50µA @ 650V |
295pF @ 0V,1MHz |
表面贴装 |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-252-2 |
|
C3D06065A |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
6A(DC) |
1.8V @ 6A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
60µA @ 650V |
294pF @ 0V,1MHz |
通孔 |
TO-220-2 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-220-2 |
|
C3D06060A |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
6A(DC) |
1.8V @ 6A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
50µA @ 600V |
294pF @ 0V,1MHz |
通孔 |
TO-220-2 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-220-2 |
|
C3D06060F |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
6A(DC) |
1.8V @ 6A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
50µA @ 600V |
294pF @ 0V,1MHz |
通孔 |
TO-220-2 整包 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-220-F2 |
|
C4D02120A |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
2A(DC) |
1.8V @ 2A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
50µA @ 1200V |
167pF @ 0V,1MHz |
通孔 |
TO-220-2 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
TO-220-2 |
|
C3D04065E |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
4A(DC) |
1.8V @ 4A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
60µA @ 650V |
251pF @ 0V,1MHz |
表面贴装 |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-252-2 |
|
C3D04060F |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
4A(DC) |
1.7V @ 4A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
50µA @ 600V |
251pF @ 0V,1MHz |
通孔 |
TO-220-2 全封装,隔离接片 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-220-F2 |
|
C3D03060E |
Z-Rec |
碳化硅肖特基 |
3A(DC) |
1.7V @ 3A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
50µA @ 600V |
155pF @ 0V,1MHz |
表面贴装 |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
管件 |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
TO-252-2 |
|
CSD01060E-TR |
Zero Recovery |
碳化硅肖特基 |
1A(DC) |
1.8V @ 1A |
无恢复时间 > 500mA(Io) |
100µA @ 600V |
80pF @ 0V,1MHz |
表面贴装 |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
剪切带(CT) |
-55°C ~ 175°C |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
TO-252-2 |