|
LM5114BMF/NOPB |
低压侧 |
单路 |
1 |
N 沟道 MOSFET |
4 V ~ 12.6 V |
0.8V,2.4V |
1.3A,7.6A |
82ns,12.5ns |
-40°C ~ 125°C (TJ) |
表面贴装 |
SOT-23-6 |
SOT-23-6 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
27 周 |
|
LM5110-3MX/NOPB |
低压侧 |
独立式 |
2 |
N 沟道 MOSFET |
3.5 V ~ 14 V |
0.8V,2.2V |
3A,5A |
14ns,12ns |
-40°C ~ 125°C (TJ) |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
8-SOIC |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
LM5111-1MY/NOPB |
低压侧 |
独立式 |
2 |
N 沟道 MOSFET |
3.5 V ~ 14 V |
0.8V,2.2V |
3A,5A |
14ns,12ns |
-40°C ~ 125°C (TJ) |
表面贴装 |
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 |
8-MSOP-PowerPad |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
LM5111-2MY/NOPB |
低压侧 |
独立式 |
2 |
N 沟道 MOSFET |
3.5 V ~ 14 V |
0.8V,2.2V |
3A,5A |
14ns,12ns |
-40°C ~ 125°C (TJ) |
表面贴装 |
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 |
8-MSOP-PowerPad |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
LM5111-1MX/NOPB |
低压侧 |
独立式 |
2 |
N 沟道 MOSFET |
3.5 V ~ 14 V |
0.8V,2.2V |
3A,5A |
14ns,12ns |
-40°C ~ 125°C (TJ) |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
8-SOIC |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
13 周 |
|
UCC27519DBVR |
低压侧 |
单路 |
1 |
IGBT,N 沟道 MOSFET |
4.5 V ~ 18 V |
- |
4A,4A |
8ns,7ns |
-40°C ~ 140°C(TJ) |
表面贴装 |
SC-74A,SOT-753 |
SOT-23-5 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
UCC27517DBVR |
低压侧 |
单路 |
1 |
IGBT,N 沟道 MOSFET |
4.5 V ~ 18 V |
1V,2.4V |
4A,4A |
8ns,7ns |
-40°C ~ 140°C(TJ) |
表面贴装 |
SC-74A,SOT-753 |
SOT-23-5 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
UCC27511DBVR |
低压侧 |
单路 |
1 |
IGBT,N 沟道 MOSFET |
4.5 V ~ 18 V |
1V,2.4V |
4A,8A |
8ns,7ns |
-40°C ~ 140°C(TJ) |
表面贴装 |
SOT-23-6 |
SOT-23-6 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
LM5109BMAX/NOPB |
半桥 |
独立式 |
2 |
N 沟道 MOSFET |
8 V ~ 14 V |
0.8V,2.2V |
1A,1A |
15ns,15ns |
-40°C ~ 125°C (TJ) |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
8-SOIC |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
LM5109BSD/NOPB |
半桥 |
独立式 |
2 |
N 沟道 MOSFET |
8 V ~ 14 V |
0.8V,2.2V |
1A,1A |
15ns,15ns |
-40°C ~ 125°C (TJ) |
表面贴装 |
8-WDFN 裸露焊盘 |
8-WSON(4x4) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
LM5109AMAX/NOPB |
半桥 |
独立式 |
2 |
N 沟道 MOSFET |
8 V ~ 14 V |
0.8V,2.2V |
1A,1A |
15ns,15ns |
-40°C ~ 125°C (TJ) |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
8-SOIC |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
11 周 |
|
SN75477DR |
低压侧 |
独立式 |
2 |
- |
4.5 V ~ 5.5 V |
0.8V,2V |
500mA,500mA |
50ns,90ns |
0°C ~ 70°C(TA) |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
8-SOIC |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
SN75452BPSR |
低压侧 |
独立式 |
2 |
N 沟道,P 沟道 MOSFET |
4.75 V ~ 5.25 V |
0.8V,2V |
500mA,500mA |
5ns,7ns |
0°C ~ 70°C(TA) |
表面贴装 |
8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) |
8-SO |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
9 周 |
|
SN75451BDR |
低压侧 |
独立式 |
2 |
N 沟道,P 沟道 MOSFET |
4.75 V ~ 5.25 V |
0.8V,2V |
500mA,500mA |
5ns,7ns |
0°C ~ 70°C(TA) |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
8-SOIC |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
SN75453BDR |
低压侧 |
独立式 |
2 |
N 沟道,P 沟道 MOSFET |
4.75 V ~ 5.25 V |
0.8V,2V |
500mA,500mA |
5ns,7ns |
0°C ~ 70°C(TA) |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
8-SOIC |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
UCC27424DGNR |
低压侧 |
独立式 |
2 |
N 沟道,P 沟道 MOSFET |
4 V ~ 15 V |
1V,2V |
4A,4A |
20ns,15ns |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
表面贴装 |
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 |
8-MSOP-PowerPad |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
UCC27524DSDR |
低压侧 |
独立式 |
2 |
IGBT,N 沟道 MOSFET |
4.5 V ~ 18 V |
1V,2.3V |
5A,5A |
7ns,6ns |
-40°C ~ 140°C(TJ) |
表面贴装 |
8-WDFN 裸露焊盘 |
8-SON(3x3) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
UCC27524DGNR |
低压侧 |
独立式 |
2 |
IGBT,N 沟道 MOSFET |
4.5 V ~ 18 V |
1V,2.3V |
5A,5A |
7ns,6ns |
-40°C ~ 140°C(TJ) |
表面贴装 |
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 |
8-MSOP-PowerPad |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
TPS2818DBVR |
低压侧 |
单路 |
1 |
N 沟道 MOSFET |
4 V ~ 14 V |
1V,4V |
2A,2A |
14ns,14ns |
-40°C ~ 125°C(TA) |
表面贴装 |
SC-74A,SOT-753 |
SOT-23-5 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
UCC27324DGNR |
低压侧 |
独立式 |
2 |
N 沟道,P 沟道 MOSFET |
4.5 V ~ 15 V |
1V,2V |
4A,4A |
20ns,15ns |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
表面贴装 |
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 |
8-MSOP-PowerPad |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |